Η سامسونج للإلكترونيات, الشركة الرائدة عالميًا في تكنولوجيا الذاكرة المتقدمة ، أعلنت عن إنتاج كميات كبيرة من الدرهم المحمول بأعلى سعة.
Η الدرهم المحمول الجديد هو أول 4X من حيث الحجم 12 جيجا بايت (جيجا بايت)، طاقة منخفضة ، سرعة بيانات مزدوجة (LPDDR4X) - مُحسّن للهواتف الذكية المتميزة في المستقبل. مع سعة أعلى من معظم أجهزة الكمبيوتر المحمولة فائقة النحافة ، ستسمح ذاكرة DRAM المحمولة الجديدة للمستخدمين بالاستفادة إلى أقصى حد من جميع ميزات الجيل الجديد من الهواتف الذكية.
قال سيون تشون ، نائب الرئيس التنفيذي رئيس قسم تسويق الذاكرة لشركة Samsung Electronics. "بالإضافة إلى ذلك ، مع LPDDR4X ، نعزز مكانتنا كشركة مصنعة لذاكرة الهاتف المحمول المتميزة من أجل تلبية الطلب المتزايد بسرعة من مصنعي الهواتف الذكية في جميع أنحاء العالم."
بفضل ذاكرة DRAM المحمولة بسعة 12 جيجابايت ، يمكن لصانعي الهواتف الذكية زيادة قدرات الأجهزة التي تحتوي على أكثر من خمس كاميرات ، وزيادة حجم الشاشة باستمرار ، فضلاً عن وظائف الذكاء الاصطناعي (AI) و 5G. مع ذاكرة DRAM الجديدة بسعة 12 جيجا بايت ، يمكن لمستخدمي الهواتف الذكية أداء العديد من المهام في وقت واحد وبسلاسة ، والبحث بشكل أسرع ، والتنقل بسهولة بين العديد من التطبيقات ، على شاشات كبيرة جدًا ذات دقة أعلى. كما أن تصميمه النحيف (1.1 مم فقط) يخدم التصميم الأنيق والبسيط للهواتف الذكية.
تم تحقيق سعة 12 جيجا بايت من خلال الجمع بين ستة (6) شرائح LPDDR4X ، 16 جيجا بايت لكل منها ، استنادًا إلى الجيل الثاني من معالجة 10 نانومتر (1 نانومتر) ، في حزمة واحدة ، مما يوفر مساحة أكبر لبطارية الهاتف الذكي. بالإضافة إلى ذلك ، باستخدام تقنية 1y-nm من سامسونج ، تضمن ذاكرة الهاتف المحمول الجديدة بسعة 12 جيجا بايت سرعات نقل بيانات تصل إلى 34.1 جيجا بايت في الثانية ، مع تقليل الزيادة الحتمية في استهلاك الطاقة الناتجة عن زيادة سعة DRAM.
منذ إصدار ذاكرة DRAM للهاتف المحمول بسعة 1 جيجا بايت في عام 2011 ، واصلت سامسونج قيادة التطورات في سوق DRAM للهواتف المحمولة ، مع طرح ذاكرة DRAM للهاتف المحمول بسعة 6 جيجا بايت في عام 2015 ، و 8 جيجا بايت في عام 2016 ، وتقديم أول ذاكرة LPDDR12X بسعة 4 جيجا بايت. من خط إنتاج الذاكرة الأكثر حداثة في كوريا ، تخطط Samsung لمضاعفة المعروض من ذاكرة الوصول العشوائي المحمولة بسعة 8 جيجابايت و 12 جيجابايت على أساس 1 نانومتر ، في النصف الثاني من عام 2019 لتلبية الطلب المرتفع المتوقع.
جدول إنتاج Samsung Mobile DRAM: الإنتاج الضخم
| تاريخ | الاهلية | موبايل درام |
| فبراير 2019 | 12GB | 1y-nm 16 جيجا بايت LPDDR4X ، 4266 ميجا بايت / ثانية |
| تموز 2018 | 8GB | 1y-nm 16 جيجا بايت LPDDR4X ، 4266 ميجا بايت / ثانية |
| أبريل 2018 | 8GB (تطوير) | 1x-nm 8 جيجا بايت LPDDR5 ، 6400 ميجا بايت / ثانية |
| سبتمبر 2016 | 8GB | 1x-nm 16 جيجا بايت LPDDR4X ، 4266 ميجا بايت / ثانية |
| أغسطس 2015 | 6GB | 20 نانومتر (2z) 12 جيجابت LPDDR4 ، 4266 ميجابت / ثانية |
| كانون الأول (ديسمبر) 2014 | 4GB | 20 نانومتر (2z) 8 جيجابت LPDDR4 ، 3200 ميجابت / ثانية |
| سبتمبر 2014 | 3GB | 20 نانومتر (2z) 6 جيجابت LPDDR3 ، 2133 ميجابت / ثانية |
| نوفمبر. 2013 | 3GB | 2y-nm 6Gb LPDDR3 ، 2133 ميجابت / ثانية |
| تموز 2013 | 3GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3 ، 2133 ميجابت / ثانية |
| أبريل 2013 | 2GB | 2y-nm 4Gb LPDDR3 ، 2133 ميجابت / ثانية |
| أغسطس 2012 | 2GB | 30 نانومتر من فئة 4 جيجابت LPDDR3 ، 1600 ميجابايت / ثانية |
| 2011 | 1 / 2GB | 30 نانومتر من فئة 4 جيجابت LPDDR2 ، 1066 ميجابايت / ثانية |
| 2010 | 512MB | 40nm من الفئة 2Gb MDDR ، 400Mb / s |
| 2009 | 256MB | 50nm من الفئة 1Gb MDDR ، 400Mb / s |
Μلا تنسى الانضمام (التسجيل) في منتدانا ، والذي يمكن القيام به بسهولة بالغة عن طريق الزر التالي ...
(إذا كان لديك بالفعل حساب في منتدانا ، فلست بحاجة إلى اتباع رابط التسجيل)
تابعنا على Telegram!
